Hi,
hab mal grad bei Pollin gestöbert. Lieferbar ab 12.02.2015 . Ich hab dann auch mal nach dem ganzen drumrum gesucht. Also Gehäuse, Zusatzelektronik, usw. Dabei ist mir das folgende aufgefallen ...
810 329 - Bausatz Mosfet-Treiber RB-4/4x100W - 5,95eur
Soweit schonmal sehr günstig. Da ich aber neugierig bin hab ich natürlich auch das Datenblatt runtergeladen ...
Datenblatt mit Schaltplan - D810329B.PDF
... tja ... und da ist mir so einiges ins Auge gefallen.
- Halogenlampen mit MOSFETs im SOT23-Gehäuse schalten ...
... sehr mutig
Ich hab mir das Datenblatt des MOSFETs jetzt nur kurz angesehen. Aber wenn man den Kaltwiderstand einer Halogenlampe mal in Betracht zieht ... ich glaube etwa 1/10tel des Heißwiderstandes ... sehr mutig
Da die Optokoppler bestimmt nicht die schnellsten sind wird da wohl öfters dirch den linearen Steuerbereich des MOSFETs durchgearbeitet. Nach den Angaben im Datenblatt max 20W Halogen bei 12V.
20W / 12V = 1,66A . . . . 12V / 1,666A = 7,2 Ohm
etwa 10x als Kaltwidwerstand ... ergibt dann 0,8 Ohm (ich bin mal gutmütig).
Ergibt also im Einschaltmoment etwa 12V / 0,8 Ohm = 15A
MOSFET ist ein TSM3404
Datenblatt hier ...
Reichelt - TSM 3404 SMD :: N-Ch 30V 5,8A 1,4W 0,028R SOT23 - 0,25eur
UDS : 30 V
UGS(th) : ±20 V
Id : 5,8 A
RDS(on) : 0,023 Ohm
td (on) : 7,42 ns
td (off) : 20,4 ns
Eventuell bin ich da auch etwas konservativ aber ich hätte wenigstens nen DPAK oder TO251 eingesetzt um die Wärme besser abführen zu können. So hat man wenig Masse zur Aufnahme der Wärme zur Verfügung und man kann nur über die Leiterbahnen abführen.
Außerdem ist mir nen Bock im Schaltplan aufgefallen
Mal sehen wer ihn findet. Ich sag nur. Er hängt mit C1, den Optokopplern und den Z-Dioden zusammen. Find ich echt mutig was die da gebaut haben.
Mal sehen wer es von euch findet .... ...
Gruß
Dino
EDIT: Ich hab mal mit 4Leiter-Milliohmmeter nachgemessen (die Neugier) ... ne 12V/20V Halogenlampe hat etwa 0,59..0,6 Ohm Kaltwiderstand. Also wären das dann bei 12V etwa 20A und das bei nem MOSFET der laut Datenblatt folgende Grenzwerte hat ...
Continuous Drain Current I
D 5.8 A
Pulsed Drain Current I
DM 20 A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a,b I
S 2.5 A
a. Pulse width limited by the Maximum junction temperature
b. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.
Maximum Power Dissipation Ta = 25°C : 0.75W , Ta = 75°C : 0.48W
Da wurde bis in die Grenzlast ausgenutzt. Ob das lange gut geht?
Wenn die Umgebungstemperatur (und damit auch die Leiterbahnen als Kühlkörper) 25°C haben, dann kann man etwa 5,7A Dauerstrom durchschicken und hat damit die Grenzlast (0,75W) erreicht wenn denn die Leiterbahn weiter bei 25°C bleibt und der Transistor wirklich voll durchgesteuert ist.