Hallo,
1. Der Spannungsteiler ist verdammt niederohmig Da steht im Datenblatt bestimmt was anderes drin.
2. Irgendwie ist der Spannungsteiler nicht so richtig verdrahtet.
Das folgende Bild ist aus dem Datenblatt ...
Soweit erstmal.
EDIT: was mir noch auffällt ... Beim MOSFET wo die 4V anliegen (nur noch 4V für die LED?) wirst du ein Problem bekommen weil der Gate-Pin nun über R2 auf 12V liegt und damit über dem Source-Potential. Wenn ich mich recht entsinne mögen MOSFETs das nicht so gerne (könnte mich da aber auch irren). R2 sollte statt auf 12V besser auf dem Source-Potential des Q4 liegen.
Außerdem wichtig! Für den Schaltwandler KEINE normale Diode (wie zB 1N4004) einsetzen. Das muß eine Schottky-Diode sein. Die schalten schneller und mit weniger Spannungsverlust
Beim Elko am Schaltwandler (C9) entweder nen LowESR (also kleinem Innenwiderstand) verwenden oder nen minimum 100nF Vielschicht-Keramik parallelschalten um schnell Energie aufnehmen zu können.
Gruß
Dino
Da hab ich nen großes Fragezeichen beim Schaltregler.- höhere Last bei 6V (4V) Betrieb einen extra StepDown Regulator der bis 3A kann
- manuelle Spannungsänderung für 6V Brücken-Teil per Ri Veränderung am Regler (könnte man ja auch per POTI für die Grundspannung machen an der Platine dann, ohne PWM)
1. Der Spannungsteiler ist verdammt niederohmig Da steht im Datenblatt bestimmt was anderes drin.
2. Irgendwie ist der Spannungsteiler nicht so richtig verdrahtet.
Das folgende Bild ist aus dem Datenblatt ...
das waren die oberen. Da die unteren direkt ohne die bipolaren dazwischen schneller schalten können hab ichs mal geändert (mußt du bei dir übernehmen). Ich habe OC1A/OC1B verwendet weil man dann nur einen Timer belegt. Damit hast du jedesmal die selbe PWM-Frequenz. Ist alles etwas einfacher.- Untere MOSFET per PWM Pin, für eventuelle Dimmung
Soweit erstmal.
EDIT: was mir noch auffällt ... Beim MOSFET wo die 4V anliegen (nur noch 4V für die LED?) wirst du ein Problem bekommen weil der Gate-Pin nun über R2 auf 12V liegt und damit über dem Source-Potential. Wenn ich mich recht entsinne mögen MOSFETs das nicht so gerne (könnte mich da aber auch irren). R2 sollte statt auf 12V besser auf dem Source-Potential des Q4 liegen.
Außerdem wichtig! Für den Schaltwandler KEINE normale Diode (wie zB 1N4004) einsetzen. Das muß eine Schottky-Diode sein. Die schalten schneller und mit weniger Spannungsverlust
Beim Elko am Schaltwandler (C9) entweder nen LowESR (also kleinem Innenwiderstand) verwenden oder nen minimum 100nF Vielschicht-Keramik parallelschalten um schnell Energie aufnehmen zu können.
Gruß
Dino